在存储芯片领域，是由大部分美韩企业占主导地位，占据着全球9成以上的市场份额。特别是三星、SK海力士、美光三大存储巨头，在主要存储芯片NAND Flash（闪存）和DRAM（随机存取内存）产品中，占据非常大的优势地位。

这三家具有技术领先优势，让其掌握着大量市场，但这一切并不是不可变的。近日，长江储存传来好消息，已率先量产200层以上闪存芯片，技术不输三巨头。

长江存储200层以上闪存芯片量产

近日，全球半导体和微电子行业分析机构TechInsights，发布报告称，长江存储推出的200层以上的3D NAND闪存芯片X3-9070，已经量产并进入零售市场。

当然，三星、美光、SK海力士也早就推出200层以上3D NAND闪存芯片，例如，美光5月份宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存；SK海力士8月份宣布已研发出238层NAND闪存；三星11月宣布开始批量生产236层 3D NAND闪存芯片。

不过，在市场上暂时还都未见得这三家的200层以上闪存，但长江存储的就不一样了。近期，TechInsights拆解了海康威视CC700的2TB SSD固态硬盘，发现其闪存芯片使用了长江存储Xtacking 3.0架构，是一款232层的3D NAND闪存。

这与长江存储的X3-9070芯片，参数基本上一致，而且海康威视CC700又是广泛面向市场的产品。因此，TechInsights表示，这是全球首个上市的200层3D NAND闪存，这或许代表着，长江存储在此领域领先一步。

同时，TechInsights还评价Xtacking 3.0技术先进，技术不输三星等巨头，正在逼近全球存储巨头。并且，该机构认为长江储存是一个“严肃的竞争者”，预计会在2030年前成为闪存芯片市场的全球领导者。

技术不输三星等巨头？

从芯片先进性来说，目前大家都刚推出200层以上的闪存芯片，美光是232层、SK海力士是238层NAND闪存，而三星将量产的是232层（也有称是226层）。长江存储的232层3D NAND闪存，与前三个相比，几乎都在同一水平，美光稍微领先。

都知道，目前闪存层数越高，存储密度和性能都会更好，也是先进的标志，这一点长江存储并不输于其他厂家。

从性能方面来说，长江存储的X3-9070采用的是6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%。另外，该芯片可以在更小单芯片中实现1Tb的存储容量，并且可达到2400 MT/s的I/O传输速率，符合ONFI 5.0规范。

这在同类别芯片里都达到了领先水准，更值得注意的是，X3-9070能效比提高的同时，还降低了成本，相比其他厂商便宜20%。

最后，从研发周期上来说，长江存储是后来者居上，做到这一点不容易。

其一，长江存储研发3D NAND始于2014年，2020年达到128层水平，跃进入先进队列，时隔2年，又首先量产232层闪存芯片并进入零售。其二，长江存储的Xtacking技术，可将读写单元和存储单元可以分开来生产，既能缩短3个月产品开发时间，又能缩短20%的生产周期。

无论是研发投入时间，还是产品开发、制造时间，长江存储都尽可能地比其他厂商更短，做到这一点本身就很优秀。

结合以上三个方面来看，即便长江存储入局才6-7年，在存储芯片巨头面前还算“新人”，但它的研发进度、技术能力，让其成为一匹黑马，技术不输那些存储巨头。

结束语

长江存储能够取得如此成就，离不开它对研发的坚持投入，坚持走自主研发道路，才能让它走得更远。

值得注意的是，长江存储也引起老美注意了，也做了一些大家都懂的举措。虽然，存储芯片目前工艺不超过10nm，但是，还需要中企加紧自研相关芯片制造设备的步伐，以备不时之需。